型号:IRF7379TRPBF | 类别:FET - 阵列 | 制造商:International Rectifier |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC |
系列 | HEXFET® |
制造商 | International Rectifier |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 5.8A,4.3A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 45 毫欧 @ 5.8A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 25nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 520pF @ 25V |
功率_最大 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
HECC GROUP CO,LIMITED | Sante Zhang/Mollie086-755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801 |
深圳市宏世佳电子科技有限公司 | 高小姐/李先生086-0755- 82556029/82532511 |
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深圳市百域芯科技有限公司 | 雷小姐075582788062 |
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1812(4532 公制)
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1812(4532 公制)
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